직무 · 삼성전자 / 공정기술

Q. 물리적 특성과 전기적 특성에 대해서 질문드립니다.

안녕하세요. 시뮬레이션을 기반으로 MOS 커패시터를 모델링도 해보고 공정실습을 통해 제작을 해봤습니다. 그 중 C-V 분석이나 데이터 분석을 통해 게이트 및 반도체 기판 도핑농도와 산화막 두께로 부터 플랫 밴드 전압, 산화막 커패시턴스, 문턱 전압, 전기장, 전위, 캐리어 농도 등 파라미터를 도출했습니다. 제가 아직 물리적 특성과 전기적 특성을 구분을 잘 못하는 것 같습니다. 알려주시면 감사합니다. 추가로 게이트 물질이 poly-si와 metal일 때 파라미터 값이 달라지면 어떠한 것에 의해서 달라지는 것인지도 알려주시면 감사하겠습니다.